Hohe Spannungsfestigkeit auf kompaktem Raum
Die G3VH-Serie verbindet hohe Lastspannungen mit niedrigem Einschaltwiderstand und schnellem Schaltverhalten. Die Isolationsspannung zwischen Ein- und Ausgang beträgt 5.000 Vrms. Damit eignet sich das Relais insbesondere für Hochvolt-DC-Anwendungen und die Prüfung moderner Leistungshalbleiter. Gegenüber konventionellen MOSFET-Relais ermöglicht die Serie höhere Schaltspannungen. Im Vergleich zu Reed-Relais stehen eine kompaktere Bauform sowie die hohe Zuverlässigkeit der Halbleiterlösung im Vordergrund. Für Entwickler von ATE- und Messsystemen ist vor allem die Kombination aus hoher Isolationsleistung und schnellem Schalten interessant. Sie unterstützt eine präzise Fehler- und Konformitätserkennung und kann Prüfzeiten verkürzen. Durch den verschleißfreien Halbleiteraufbau ist das Relais für langlebige, wartungsarme Systeme ausgelegt. Das DIP6-Gehäuse misst lediglich 8,8 × 6,4 mm und ist mit PCB- oder SMD-Anschlüssen erhältlich.
Haupteigenschaften:
SiC-basiertes MOSFET-Relais
Lastspannung: 1.800 V oder 3.300 V
Isolationsspannung Ein-/Ausgang: 5.000 Vrms
niedriger Einschaltwiderstand
schnelles Schalten
DIP6-Gehäuse mit PCB- oder SMD-Anschlüssen
Von Halbleitertests bis Energiespeicher
Zu den Einsatzbereichen zählen insbesondere:
automatische Testsysteme (ATE) für Leistungshalbleiter
Test- und Messgeräte
Batterie-Management-Systeme (BMS)
Elektrofahrzeuge und Hochvolt-Bordnetze
Energiespeicher und Energieinfrastruktur
Industrieautomation und Maschinenbau
Bahntechnik
Speziell bei Anwendungen oberhalb von 1.000 V adressiert die G3VH-Serie einen Bereich, in dem Entwickler hohe Spannungen mit kompakten Abmessungen und langen Schaltzyklen verbinden müssen.
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