Speziell für HV-Anwendungen in Fahrzeugen: 1.200 V DSL (Discrete SiC Line) von Bosch ist demnächst über Rutronik erhältlich

31.07.2025 Product News

Das Rutronik-Portfolio für Automotive-Leistungselektronik wird durch den BT2M12006R0TPA von Bosch erweitert. Dabei handelt es sich um einen leistungsstarken N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis (SiC) mit 1.200 V Sperrspannung, einem maximalen Einschaltwiderstand von 6,7 mΩ und minimalen Schaltverlusten – selbst bei hohen Strömen. Speziell entwickelt für Hochspannungsanwendungen im Automotive-Bereich, vereint das Bauteil hohe Effizienz in einem kompakten diskreten Gehäuse mit einer AEC-Q101-Qualifizierung. Muster des BT2M12006R0TPA sind auf Anfrage bei Rutronik erhältlich.

Um Entwickler bei der Konstruktion kundenspezifischer Steuergeräte zu unterstützen, setzt das DSL mit der Zweikanal-SiC-Trenchgate-Technologie der zweiten Generation Bosch eigene SiC-Chips ein. Diese sind neben der Gehäusevariante auch als Bare Die verfügbar. Das kompakte DSL mit integriertem Kelvin-Source-Pin ist auf maximale Skalierbarkeit ausgelegt und bietet neben der 1.200 V-Klasse auch eine 750 V-Variante für unterschiedliche Systemspannungen im E-Mobility-Umfeld. 

Die Kombination aus hoher Skalierbarkeit bei kleinem Bauraum, thermischer Robustheit und AEC-Q101-Qualifizierung macht den BT2M12006R0TPA zur idealen Wahl für Applikationen der nächsten Generation elektrischer Antriebe und Fahrzeuge.

Zusätzliche Benefits:

  • Sperrspannung: 1.200 V
  • Typischer Einschaltwiderstand (RDS(on)): 6,2 mΩ bei 140 A / 25 °C
  • Verlustleistung: bis zu 1.011 W
  • Schnelle Rekuperation
  • Schaltzeiten: z. B. Turn-on delay 183 ns, Rise time 55 ns
  • Gate-Ladung (QG): 389 nC (typ.)

Zielanwendung:

  • Automotive
    • Traktionsanwendungen
    • On-Board-Ladegeräte
    • DC/DC-Wandler
    • Electronic Battery Disconnect Unit (eBDU)
    • Wechselrichter

       

Höchste Effizienz für Automotive-Leistungselektronik ermöglicht der BT2M12006R0TPA von Bosch.

Übersichtstabelle der 750 V und 1.200 V Modelle:

Typ

Spannungs-klasse

RDS(on)2 [mΩ]

Gleichspannung @ Tc = 25°C

Gleichspannung @ Tc = 100°C

SiC MOSFET

BT2M07504R0TPA

750 V

4.0

360 A

275 A

2nd Gen

BT2M07503R4TPA

750 V

3.4

405 A

310 A

2nd Gen

BT2M07503R0TPA

750 V

3.0

445 A

345 A

2nd Gen

BT2M12006R7TPA

1200 V

6.7

245 A

185 A

2nd Gen

BT2M12006R0TPA

1200 V

6.0

260 A

200 A

2nd Gen

BT2M12004R8TPA

1200 V

4.8

310 A

235 A

2nd Gen

 


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Manuel Gauß| Senior Manager Product Marketing Analog & Sensors |  +49 7231 801 1284 | manuel.gauss@rutronik.com