Jetzt bei Rutronik: Infineon CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 Hochintegrierte GaN-Halbbrückenlösung für effiziente und kompakte Leistungsdesigns

19.02.2026 Product News

Mit der CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 erweitert Infineon Technologies sein GaN-Portfolio um eine hochintegrierte Half-Bridge-Lösung, die Leistungshalbleiter und Treiber in einem kompakten Gehäuse vereint. Rutronik nimmt die neue Baureihe ab sofort in sein Portfolio auf und adressiert damit Entwickler von leistungsdichten, energieeffizienten Systemen in Anwendungen für Verbraucher, Industrie und leichte Elektrofahrzeuge. Die CoolGaN™ Drive HB 600 V G5-Serie ist unterwww.rutronik24.com erhältlich.

Die CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 kombiniert zwei CoolGaN™ Transistoren 600 V G5 mit einem integrierten High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber inklusive Level-Shifter und Bootstrap-Diode. Durch diesen hohen Integrationsgrad reduziert die Lösung den externen Schaltungsaufwand erheblich, vereinfacht das Layout und trägt zu einer schnellen und reproduzierbaren Systemintegration bei.

Das kompakte TFLGA-27-Gehäuse (6 × 8 mm) ermöglicht eine hohe Leistungsdichte bei gleichzeitig geringem Platzbedarf. Die integrierte Treiberstufe unterstützt eine PWM-kompatible Ansteuerung sowie eine einstellbare dv/dt-Steuerung, wodurch sich Schaltverhalten und EMV-Eigenschaften gezielt optimieren lassen.

Dank der GaN-typischen zero reverse-recovery charge (Zero-Qrr) sowie einer sehr kurzen Propagationsverzögerung von typischerweise 98 ns mit geringem Kanal-Mismatch eignet sich die CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 besonders für hochfrequente und effiziente Leistungswandler. Der integrierte Gate-Treiber wird über eine einzelne 12-V-Versorgung betrieben und zeichnet sich durch eine schnelle UVLO-Recovery aus, was einen stabilen Betrieb auch unter dynamischen Lastbedingungen unterstützt.

Die Baureihe ist JEDEC-qualifiziert und für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen ausgelegt. Typische Zielanwendungen finden sich in den Bereichen Verbraucher, Industrie und leichte Elektrofahrzeuge, in denen hohe Effizienz, kompakte Bauformen und kurze Time-to-Market entscheidend sind.

Benefits im Überblick

  • Hochintegrierte GaN-Halbbrückenlösung mit zwei 600-V-GaN-Transistoren und Gate-Treiber
  • Reduzierter Schaltungs- und Layoutaufwand
  • Kompaktes TFLGA-27-Gehäuse (6 × 8 mm)
  • Zero-Qrr-Eigenschaften für hohe Effizienz und geringe Schaltverluste
  • Sehr kurze Propagationsverzögerung (typ. 98 ns) mit geringem Kanal-Mismatch
  • PWM-kompatible Ansteuerung und einstellbare dv/dt-Steuerung zur EMV-Optimierung
  • Single-Supply-Gate-Treiber (12 V) mit schneller UVLO-Recovery
  • JEDEC-qualifiziert für industrielle und energiebezogene Anwendungen

Typische Einsatzgebiete

  • Motorantriebe: Motorantriebssysteme mit geringem Stromverbrauch
  • SMPS: Schaltnetzteile für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch
  • Leistungstopologien:
    • AC/DC-, DC/DC- und DC/AC-Wandler
    • Einphasige oder mehrphasige Wechselrichter
    • LLC-Resonanzwandler
    • Synchrone Buck/Boost-Wandler

Weitere Informationen zur CoolGaN™ Drive HB 600 V G5-Familie von Infineon und eine direkte Bestellmöglichkeit finden Sie auch auf unserer e-Commerce-Plattform www.rutronik24.com.

Contact Rutronik:

Hannah Metzner| Team Leader Corporate Product Marketing Power |  +49 7231 801 1551 | hannah.metzner@rutronik.com  

Rutronik führt die CoolGaN™ Drive HB 600 V G5-Serie: hochintegrierte GaN-Lösung für moderne Power-Designs