Isolated Gate Driver für GaN BM6GD11BFJ-LB von ROHM - bei Rutronik

Rutronik ergänzt sein Sortiment um den 1-Kanal-Gate-Treiber BM6GD11BFJ-LB mit integrierter Isolierung von ROHM. Die Bauteile können GaN-Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (high-electron-mobility transistor, HEMT) auch bei hohen Geschwindigkeiten ansteuern und verfügen über eine Isolationsspannung von bis zu 2.500 VRMS, eine minimale E/A-Latenz von 60 ns, sowie eine minimale Eingangsimpulsbreite von nur 65 ns. Darüber hinaus ist eine Unterspannungsabschaltung (UVLO) in die Eingangsseite (zwischen VCC1 und GND1) bzw. die Ausgangsseite (zwischen VCC2 und GND2) integriert. Die Treiber arbeiten zuverlässig in einem weiten Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis zu +125 °C. Sie gelten derzeit als die besten ihrer Art für den Markt der industriellen Ausrüstung und sind unter www.rutronik24.com erhältlich.