Im Vergleich zu den bisherigen StrongIRFET™-Bauteilen im Bereich von 40 V bis 100 V bietet die neue Technologie einen um bis zu 40 Prozent verbesserten Einschaltwiderstand (RDS(on)) sowie eine um bis zu 60 Prozent geringere nominale Gate-Ladung (Qg). Zusätzlich ermöglichen höhere Nennströme eine verbesserte Strombelastbarkeit und die neue Generation eignet sich sowohl für hohe als auch für niedrige Schaltfrequenzen.
Standard-Pinouts ermöglichen einen einfachen Drop-in-Austausch. Die MOSFETs sind 100 Prozent sicherheitsgeprüft, RoHS-konform, halogenfrei nach IEC61249-2-21 Produktvalidierung und erfüllen den JEDEC-Standard. Dank ihrer Eigenschaften sind sie prädestiniert für eine große Bandbreite an Anwendungen z. B. für USV, Batterie-Management oder Motorantriebe.
Weitere Merkmale im Überblick:
- Ausgezeichnetes Preis-/Leistungsverhältnis
- Industriestandard-Gehäuse mit Durchgangsbohrung
- Passgenau und robust
Beispiele für Anwendungsmöglichkeiten:
- Energieverwaltung (SMPS)
- Adapter
- Motorantriebe
- Batteriebetriebene Anwendungen
- Batterie-Management
- USV
- Leichte Elektrofahrzeuge
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Kontakt Rutronik:
Hannah Metzner | Corporate Product Manager Power | +49 7231 801 1551 | hannah.metzner@rutronik.com
