SiC-MOSFETs haben typischerweise eine deutlich geringere negative als positive Gate-Spannung. Daher war bislang ein asymmetrischer Schutz mit zwei separaten TVS-Dioden erforderlich, was mehr Platz im Design erforderte. Für diese Herausforderung bietet Littelfuse die integrierte asymmetrische, bidirektionale TVS-Diode vom Typ SMFA an.
Die Komponenten punkten mit niedriger Induktivität und einer hervorragenden Klemmfähigkeit. Sie erfüllen die Anforderungen der IEC 61000-4-2 bei 30 kV Luft- und 30 kV Kontaktentladung, sowie die der Entflammbarkeitsklasse UL94 V-0. Der Whisker-Test wird auf Grundlage von JEDEC JESD201A gemäß Tabelle 4a der Klassen 1 und 2 durchgeführt.
Je nach erforderlichem maximalen Gate-Spannungswert werden verschiedenen Typen mit positiven Durchbruchsspannungen (VBR) zwischen 17,6 V und 23,4 V angeboten. Die negative Durchbruchsspannung beträgt jeweils 7,15 V.
Benefits im Überblick:
- Asymmetrische Diode zum Schutz sowohl vor positiver, als auch negativer Überspannung
- Hervorragende Klemmfähigkeit
- Niedrige Induktivität
- Glas-passivierter Junction Chip
- Oberflächenmontierbar
- Low Profile SOD-123FL-Gehäuse mit 1,08 mm Höhe
- Tape & Reel Standard Packaging
- Halogenfrei und RoHS-konform
Anwendungsbeispiele:
- Stromversorgungen für KI- / Rechenzentren und Server
- Hochzuverlässige Stromversorgungen für Halbleiter- / Industrieanlagen
- Hocheffiziente Stromversorgungen für EVI (Electric Vehicle Infrastructure)
Weitere Informationen zum SiC-MOSFET Gate-Schutz mit asymmetrischen TVS-Dioden von Littelfuse und eine direkte Bestellmöglichkeit finden Sie auch auf unserer e-Commerce-Plattform www.rutronik24.com. |
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