ROHM besitzt das gesamte Fertigungs-Know-How für SiC-MOSFETs, bietet Substrat, Wafer sowie Packaging und Testing aus einer Hand. Zusätzlich zu den diskreten SiC-MOSFETs sind auch korrespondierende Module, Treiber-Bausteine und Evaluation-Boards verfügbar.
Die Half-Bridge Evaluation Boards P04SCT4018KE-EVK-001 und P05SCT4018KR-EVK-001 wurden für SiC-MOSFETs der Gen. 4 in kompakten TO-247N und TO-247-4L-Gehäusen entwickelt und unterstützen die schnelle Umsetzung neuer Applikationen in der Entwicklung. So reduzieren integrierte Gate-Treiber und Peripherieschaltungen den Arbeitsaufwand für Design und Evaluierung.
Das HB2637L-EVK-301-Board ermöglicht Evaluierungen in Betriebsarten wie Auf-/Abwärtswandler, synchrone Auf-/Abwärtswandler und Inverterbetrieb. Es integriert zwei SiC-MOSFETs, einen isolierten Gate-Treiber inklusive Netzteil, einen Low-Dropout-Regler (LDO) für eine 5 V-Versorgung sowie einfach zu verbindende Anschlüsse für Pulsweitenmodulation-Signale (PWM).
Der BM61M41RFV-C-Gate-Treiber verfügt über eine Isolationsspannung von 3.750 Vrms, einer E/A-Verzögerungszeit von nur 65 ns und einer minimalen Eingangsimpulsbreite von 60 ns. Er ist galvanisch isoliert und mit Under-Voltage-Lockout (UVLO)-, sowie der Miller-Clamping-Funktion ausgestattet. Das Bauteil ist AEC-Q100-qualifiziert und UL1577 anerkannt.
Die SiC-MOSFETs profitieren von der Verbesserung der Bausteinstruktur auf Basis des ursprünglichen Double-Trench-Designs. Damit erzielen sie einen um bis zu 40 % niedrigeren Einschaltwiderstand bei deutlich höherer Robustheit im Vergleich zu ähnlichen Bauteilen. Durch das drastische Reduzieren parasitärer Effekte wie der Gate-Drain-Kapazität verringern sich Schaltverluste um bis zu 50 %.
Im Gegensatz zu den SiC-MOSFETs der dritten Generation unterstützt die vierte Generation einen flexibleren Gate-Spannungsbereich von 15 V bis 18 V. Das ermöglicht die Entwicklung einer Gate-Treiberschaltung, die auch bei hohen Strömen für Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) eingesetzt werden kann. Die Bauteile halten einer thermischen Belastung von bis zu +175 °C stand und lassen sich einfach parallelschalten und ansteuern. Sie sind bleifrei und RoHS-konform und ideal für den Einsatz in Automotive, Industrie oder New Energy, sowie in allen Zukunftsmärkten.
Benefits im Überblick:
- Hohe Kurzschlussfestigkeit
- Minimierter Schaltverlust
- Unterstützt 15 V – 18 V Gate-Source-Spannung
- Zuverlässige Leistung bei Temperaturen bis +175 °C
Anwendungsbeispiele:
- Elektrofahrzeuge
- Ladegeräte und DC/DC-Wandler
- Photovoltaik-Wechselrichter
- Industrieantriebe
- Luft- und Raumfahrttechnik
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