Product of the week

Infineon - CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package

Infineon präsentiert die CoolSiC™ MOSFETs 1200V in einem neuen D2PAK-7L Gehäuse. Ein breites RDS(on) Portfolio von 30mΩ bis 350mΩ ermöglicht höchste Effizienz in einem breiten Leistungsbereich von industriellen Stromversorgungen, Ladegeräten sowie verschiedenen Ampere-Nennwerten in Servoantrieben.

Zusammenfassung der Merkmale

  • Sehr geringe Schaltverluste
  • Kurzschlussfestigkeit, 3μs
  • Vollständig kontrollierbares dV/dt
  • Benchmark Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 V
  • Robustheit gegen parasitäres Einschalten, 0-V Abschalt-Gate-Spannung kann angelegt werden
  • Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
  • .XT-Verbindungstechnologie für klassenbeste thermische Leistung
  • 1200V optimiertes SMD-Gehäuse mit Luft- und Kriechstrecken, > 6,1mm auf der Leiterplatte
  • Sense-Pin für optimiertes Schaltverhalten



Vorteile

  • Verbesserung der Effizienz
  • Ermöglicht höhere Frequenzen
  • Erhöhte Leistungsdichte
  • Reduzierung des Kühlungsaufwands
  • Reduzierung von Systemkomplexität und Kosten
  • SMD-Gehäuse ermöglicht direkte Integration in PCB mit natürlicher Konvektionskühlung ohne zusätzlichen Kühlkörper


Anwendungen

  • Antriebe
  • Infrastruktur – Ladegerät
  • Energieerzeugung - Solar-Strangwechselrichter und Solar-Optimierer
  • Industrielle Stromversorgungen - Industrielle USV