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3D-NAND-Flash-Architekturen: Auf Triple Level Cell folgt Quadruple Level Cell: Was die 3D-NAND-Entwicklung bereithält

Erstellt von Daniel Zajcev |

Der 3D-NAND-Flash steht vor dem Durchbruch. Die neue Speichertechnologie hat in den letzten Jahren enorme Fortschritte gemacht und bietet eine interessante Alternative zu den etablierten 2D-NAND-Speichern, die in SSDs zum Einsatz kommen. Next-Gen-Speicherarchitekturen wie der QLC-NAND zeigen die Entwicklungsrichtung auf.

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Security first!

Je leistungsstärker und flächendeckender das Internet zur Verfügung steht, je leistungsfähiger auch die Komponenten werden, die vernetzte Geräte überhaupt erst „smart“ machen, desto mehr Applikationsfelder werden erschlossen. Mikrocontroller bilden im Verbund mit Software Herz und Hirn der Sensorik innerhalb der Industrie 4.0- und IoT-Technologien. Die voll vernetzte Fabrik und das smarte Zuhause bieten...

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Kostengünstiges nRF9160 Development Kit von Nordic bei Rutronik

Erstellt von Felix Graf |

Das Nordic Semiconductor nRF9160 Development Kit (DK) ist eine single-board Hardware-Entwicklungsplattform, die Entwicklern alle Tools für Evaluierung und Entwicklung von Applikations-Firmware auf Basis des nRF9160-SiP (System in Package) zur Verfügung stellt. Dies unterstützt die LTE-Mobilfunkstandards M1 und NB-IoT gleichermaßen und ist global kompatibel. Das nRF9160-DK ist unter

www.Rutronik24.com...

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Neu bei Rutronik: IMU mit extrem niedrigem Stromverbrauch von Bosch Sensortec

Erstellt von Julian Eise |

Der intelligente Interialsensor (IMU) BMI270 von Bosch Sensortec punktet mit verlängerter Batterielaufzeit des Gesamtsystems und einem verbesserten Beschleunigungssensor. Der für Wearable- und Hearable-Anwendungen optimierte BMI270 ist unter www.Rutronik24.com erhältlich.

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Zur Notwendigkeit von BLDC-Motoren

Erstellt von Von Ian Milne, MOSFET-Fachmann, Diodes Inc. |

In der Automobilbranche und anderen Industriebereichen werden zunehmend bürstenlose Gleichstrommotoren (BLDC) eingesetzt, um ein Maximum an Effizienz und Zuverlässigkeit zu erreichen. In diesem Artikel werden die wichtigen MOSFET-Parameter untersucht, die während des Designprozesses beachtet werden sollten.

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