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Mikrocontroller-konfigurierbares High Precision Analog-Front-End für die Sensorsignalaufbereitung mit AFE

Erstellt von Autor: Qi Zhang, Technischer Support Strategisches Marketing bei Rutronik |

NJRC hat mit dem NJU9103 ein neues Analog-Front-End (AFE) mit eingebautem PGA entwickelt, mit dem man analoge Signale mit einer Verstärkung von G-512 verarbeiten kann. Durch die Kombination des NJU9103 mit einem STM32F429 Mikrocontroller von STMicroelectronics lässt sich relativ einfach eine kostengünstige Sensorsignalaufbereitung zusammenstellen. Die Anordnung arbeitet ähnlich wie ein Oszilloskop, kann...

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Bei Rutronik: Advanced-LTE-Datenkarte für High-Speed-Datenübertragung von Telit

Die Mini PCIe (mPCIe) Datenkarte LM960A18 von Telit liefert eine extrem schnelle Datenübertragung über Advanced LTE für Produkte in Netzwerk-Anwendungsumgebungen, wie Router, mobile Gateways und Access Points. Die LTE-Datenkarte ist unter www.rutronik24.com erhältlich.

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Alliance Memory bietet Ersatz für SDRAMs von Micron Technology

Erstellt von Isabell Weinlein |

Alliance Memory bietet Ersatz für die kürzlich abgekündigten 8Gbit DDR3L Single-Die SDRAMs (Synchronous Dynamic Random Access Memory) von Micron Technology. Alliance hat die ursprünglichen Micron-Teilenummern sowie identische Pin-zu-Pin Drop-In Ersatzteile in sein Angebot aufgenommen, um Kunden langfristigen Support zu bieten und neue Designs zu unterstützen.

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Neu bei Rutronik: Ultra-stabiler GNSSDO von HKC

Erstellt von Sebastian Hör |

HKC (Hong Kong X’tals) präsentiert seinen GNSSDO (Global Navigation Satellite System Disciplined Oscillator) der K-STAR-Serie. Der disziplinierte Oszillator empfängt Signale von Satelliten, um daraus hochpräzise Zeitimpulse von 1 PPS (Puls pro Sekunde) zu erzeugen. Er unterstützt einen simultanen Empfang der Signale von GPS, GLONASS, BEIDU und GALILEO. Der K-STAR GNSSDO mit den Maßen 155 x 165 x 55 mm ist...

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Bei Rutronik: Infineon OptiMOS™ Leistungs-MOSFETs mit höchster Leistungsdichte und Effizienz

Erstellt von Sebastian Hör |

Infineon OptiMOS™ 3 und 5 best-in-class (BiC) Leistungs-MOSFETs im platzsparenden SuperSO8-Gehäuse bieten eine höhere Leistungsdichte und verbesserte Widerstandsfähigkeit im Vergleich zu Vorgängermodellen. Somit reduzieren sich die Systemkosten während sich die Leistung erhöht. Die OptiMOS™ BiC Leistungs-MOSFETs sind unter www.rutronik24.com erhältlich.

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