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Vishay N-Channel MOSFETs mit hoher Leistungsdichte bei Rutronik

Die SiSS12DN 40V N-Channel MOSFETs von Vishay zielen darauf ab, die Leistungsdichte und Effizienz für Leistungsumwandlungs-Topologien zu erhöhen. Sie werden im kompakten 3,3x3,3mm PowerPAK 1212-8S Gehäuse angeboten und verfügen über die niedrigste mögliche Ausgangsladung (Coss) in der Sub-2-mΩ-Klasse. Die MOSFETs sind erhältlich unter www.rutronik24.com.

Mit ihrem geringen Durchlasswiederstand (RDS(ON)) von 1,98mΩ bei 10V minimieren die SiSS12DN MOSFETs Leitungsverluste. Zudem ermöglichen sie dank niedriger Ausgangsladung (Coss) von 680pF und optimierter Gate-Ladung (Qg) von 28,7nC Schalter-Topologien mit größerer Leistungsdichte.

Im Vergleich zu ähnlichen Lösungen im 6x5mm Package benötigen die TrenchFET Gen VI Leistungs-MOSFETs 65% weniger Platz auf der Leiterplatte. Sie sind 100% RG- und UIS-getestet, RoHS-konform und halogenfrei.

Zu den Anwendungen der N-Channel MOSFETS zählen u.a. synchrone Gleichrichter, synchrone Abwärtswandler, DC/DC-Schaltungen, ODER-Verknüpfungen und Lastschaltungen. Sie eignen sich für Telekommunikationsanwendungen, Server, medizinische Geräte, Stromversorgungen, Schaltkondensatoren oder Tankschaltwandler, Industrieausrüstungen, Elektrowerkzeuge und Batteriemanagement-Module.

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