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Alternative für SRAMs: Der neue 8-Mbit-FRAM von Fujitsu

Erstellt von Isabell Weinlein |

Mit dem MB85R8M2T (Vertrieb: Rutronik) bringt Fujitsu den 8-Mbit-FRAM mit der bis dahin größten Speicherdichte auf den Markt. Der Speicher ist die ideale Lösung zur Eliminierung von Batterien für SRAM in Industriemaschinen. Er eignet sich vor allem für Anwendungen, bei denen ein hoher Datendurchsatz erforderlich und die Integrität der Daten entscheidend ist.

Fujitsus neuer FRAM ist in der Lage, sowohl einen SRAM als auch die dazugehörige Backup-Batterie zu ersetzen. Dadurch können Hersteller nicht nur kompaktere Designs entwickeln, sondern auch Kosten für Bauteile und Wartung einsparen. Im Vergleich zu einem SRAM in einem 44-Pin TSOP-Gehäuse benötigt der MB85R8M2T rund 90% weniger Montagefläche.

Mit über zehn Billionen garantierten Schreib- und Lesezyklen ist der MB85R8M2T deutlich länger haltbar als nichtflüchtige Speicher-EEPROMs von anderen Anbietern. Damit eignet sich der FRAM besonders für industrielle Anwendungen, die häufiges Daten-Rewriting erfordern, beispielsweise Echtzeit-Datenerfassung und 3D-Positionsdatenerfassung.

Durch den weiten Versorgungsspannungsbereich von 1,8V bis 3,6V und die SRAM-kompatible parallele Schnittstelle lässt sich der FRAM flexibel in Designs integrieren.

Der MB85R8M2T ist in einem 48-Pin FBGA-Gehäuse mit den Abmessungen 8,00 x 6,00mm bereits in der Massenproduktion, Muster können bei Rutronik jederzeit angefragt werden.

Weitere Informationen zum MB85R8M2T von Fujitsu und eine direkte Bestellmöglichkeit finden Sie auch auf unserer e-Commerce-Plattform www.Rutronik24.com:
https://www.rutronik24.com/product/fujitsu/mb85r8m2tpbs-m-jae1/11001954.html

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Isabell Weinlein, Product Sales Manager Memories
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