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600-V-Leistungs-MOSFETs mit hoher Energieeffizienz von Vishay

Erstellt von Meryem Cepni |

Ispringen, 26. April 2017 – Mit dem neuen n-Kanal-MOSFET SiHP065N60E präsentiert der Distributor Rutronik das erste Bauteil der vierten Generation von 600-V-Leistungs-MOSFETs der E-Serie von Vishay. Der neue MOSFET kommt mit sehr geringen Durchlass- und Schaltverlusten sowie sehr guter Energieeffizienz und ist damit ideal für Telekom-, industrielle und gewerbliche Anwendungen.

Im Vergleich zu den die bisherigen MOSFETs aus Vishays E-Serie bietet der neue SiHP065N60E einen um 30% geringeren On-Widerstand von nur 0,065Ω (max.) bzw. 0,057Ω (typ.) bei 10V Gate-Spannung sowie eine um 44% geringere Gate-Ladung von nur 49nC. Damit ist die FOM-Spezifikation von nur 2,8Ω*nC (RDS(ON)*Qg) um 25% kleiner als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt.

Die sehr niedrigen effektiven Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von nur 93pF bzw. 593pF tragen zusätzlich zum hervorragenden Schaltverhalten des SiHP065N60E bei. Die geringeren Durchlass- und Schaltverluste führen zu Energieeinsparungen in Leistungsfaktorkorrektur- und steilflankig schaltenden DC/DC-Wandlerstufen von Telekom-, industriellen und gewerblichen Stromversorgungssystemen. 

Der neue MOSFET kommt im TO-220AB-Gehäuse und ist RoHS-konform sowie halogenfrei.

Erhältlich ist er unter www.rutronik24.com.