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High-Speed-PSRAMs von Alliance Memory bei Rutronik

Erstellt von Isabell Weinlein |

Die neuen CMOS-Pseudo-SRAMs (PSRAMs) von Alliance Memory kombinieren die besten Eigenschaften von SRAMs und DRAMs für benutzerfreundliche, stromsparende und kostengünstige Speicherlösungen. Sie sind mit Dichten von 8Mb bis 128Mb ab sofort unter www.Rutronik24.com erhältlich.

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Das AE-CLOUD2 Kit: Via Narrowband zur Cloud-Connection

Erstellt von Zibo Su |

Das neu vorgestellte AE-CLOUD2 Kit von Renesas verbindet IoT-Anwendungen mit Cloud-Services, beispielsweise Amazon Web Services, Google Cloud Platform oder Microsoft Azure. Zusätzlich zu den Features seines Vorgängers AE-CLOUD1 Kit nutzt das AE-CLOUD2 auch die neuen Schmalband-Mobilfunkstandards NB-IoT und Cat-M1. Verfügbar ist das Kit ab sofort bei www.Rutronik24.com

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Rutronik-Partner Alliance Memory bietet abgekündigte Cypress-SRAMS weiter an

Erstellt von Isabell Weinlein |

Gute Nachricht für Kunden der Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH: Mit Alliance Memory bietet ein Hersteller aus dem Rutronik-Portfolio einige der von Cypress

Semiconductor Corporation abgekündigten Low-Power-SRAMs der CY62256-Serie weiterhin an. Alliance Memory will die Versorgung mit den Bauteilen bis ins Jahr 2019 sicherstellen.

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Das AE-CLOUD2 Kit: Via Narrowband zur Cloud-Connection

Erstellt von Zibo Su |

Das neu vorgestellte AE-CLOUD2 Kit von Renesas verbindet IoT-Anwendungen mit Cloud-Services, beispielsweise Amazon Web Services, Google Cloud Platform oder Microsoft Azure. Zusätzlich zu den Features seines Vorgängers AE-CLOUD1 Kit nutzt das AE-CLOUD2 auch die neuen Schmalband-Mobilfunkstandards NB-IoT und Cat-M1. Verfügbar ist das Kit ab sofort bei www.Rutronik24.com.

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Was ist der Unterschied zwischen 2D NAND, 3D NAND und 3D XPoint Flash Speicher?

Erstellt von Patrick Twele, Product Sales Manager Storage, Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH |

Flash Speicher haben andere Speichertechnologien in fast allen Marktsegmenten verdrängt. Ihr Erfolg beruht auf sinkenden Kosten durch Strukturverkleinerung, mehr speicherbaren Informationen pro Zelle durch verschiedene Spannungslevel (MLC und TLC Flash Speicher) und neuen Software-Features.

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